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IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
12
10
8
6
V DS = 250 V
I D = 13 A
I G = 10 mA
10000
1000
Coss
Ciss
f = 1MHz
4
Crss
2
0
0
20
40
60
80
100
120
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50
45
40
35
Gate Charge - nC
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
V DS - Volts
Fig.8 Capacitance Curves
30
25
20
15
10
5
T J = 125 O C
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
1.00
D=0.5
0.10
0.01
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.00
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Fig.10 Transient Thermal Impedance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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